三星以前制订规划在2030年景为全球最早入的半导体系体例造公司之一，3nm节点是他们的一个杀手锏，以前一直被良率不行等负面传说风闻困扰，日前三星公司终究亮出3nm晶圆，按规划将在本年Q2季怀抱产，比台积电还要早一些。
日前美国总统观光了三星位于平泽市四周的芯片工场，这里是今朝全球独一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星公然了3nm工艺创造的12英寸晶圆，不外详细是哪款芯片还不患上而知。
对于三星来讲，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关头，由于台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技能，三星的3nm节点就会启用GAA技能，这是一种新型的环绕栅极晶体管，经由过程使用纳米片装备创造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技能可以显著加强晶体管机能，主要代替FinFET晶体管技能。
凭据三星的说法，与7nm创造工艺比拟，3nm GAA技能的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗下降了50%，机能提高了约35%，纸面参数上来讲倒是要优于台积电3nm FinFET工艺。
凭据三星以前的亮相，3nm工艺将在2022年Q2季怀抱产，这个入度比拟台积电的3nm工艺还要激入，后者本年下半年也只能小规模试产，来岁才会年夜规模量产3nm工艺。
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