realme GT2大师探索版现已确认将会搭载高通骁龙8+移动平台，采用台积电4nm制程工艺，其功耗与良品率与三星4nm相比要更胜一筹。
今日，数码博主@WHYLAB曝出了realme GT2大师探索版的Geekbench 5跑分图，单核成绩达1296分，多核为 4211分，相较于骁龙8有接近10%左右的提升，当然考虑到工程机的缘故，还有进一步的优化空间。
另外，根据跑分图显示，realme GT2大师探索版更高还将配备12GB内存，预计内存规格将会从前代的LPDDR4X 2133MHz升级到LPDDR5 3200MHz。
根据此前爆料的信息，realme GT2大师探索版将成为OPPO系支持100W快充的机型，同时辅以5000mAh双电芯电池，后置5000万像素三镜头设计，主摄有望支持OIS光学防抖。
另外，realme GT2大师探索版的外观将有日本知名设计师深泽直人操刀设计，整机的颜值将有比较大的提升，realme副总裁曾赞叹这将是手机工业设计的天花板。
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