6月28日，据韩国日报消息，三星将在6月30日宣布量产3nm工艺，此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电，后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。
3nm工艺的具体详情还没公布，但是之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决，韩国分析师、HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称，三星的3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快。
根据他的数据，三星晶圆代工业务将成长40%左右、高于业界整体25%的增幅水平。
按照三星去年公布的信息，3nm节点也分为3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，后者使用GAA晶体管，面向外部代工客户。
根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
本文来自“软馨吖”用户投稿，该文观点仅代表作者本人，不代表华夏信息网立场，本站不对文章中的任何观点负责，内容版权归原作者所有、内容只用于提供信息阅读，无任何商业用途。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站（文章、内容、图片、音频、视频）有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，请发送邮件至1470280261#qq.com举报，一经查实，本站将立刻删除、维护您的正当权益。如若转载，请注明出处：http://www.xxxwhg.com/ls/41150.html
