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下面让华为麒麟带你一图看懂存储器！
RAM：随机存取存储器（andomAccessMemory)，即手机中的内存，是芯片中与CPU直接交换数据的存储器。
RAM属于易失性存储器，即一旦断电所存储的数据将全部丟失。RAM的优点是可以随时读写，同时读写速度很快，通常用来暂存正在运行的程序和临时数据。
NAND：NANDFlash即手机中的闪存，它属于非易失性存储器，断电后，其存储的数据不会丢失。NANDFlash存储器具有容量较大、体积较小、改写速度快等优点，它是移动数码产品存储的理想介质，在业内有广泛的应用，包括手机、相机、随身携带的U盘等。手机参数中的256G512GB指的就是手机中的闪存大小。
DRAM：动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMem-ory）是RAM中的一种，当断掉电源后，所存储的数据将全部丟失。由于晶体管会出现漏电的情况，导致DRAM储存电荷的时间非常短暂，所以DRAM需要周期性地充电来进行刷新，因此DRAM的速度不如SRAM快，但DRAM的优点是存储单元的结构简单，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM中的主流。比如手机参数中的4G8GB指的就是内存。
SRAM：静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemo-ry）是RAM的另一种。SRAM与DRAM不同，不需要周期性进行更新，只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。但是，当断电时，SRAM储存的数据还是会消失。SRAM的优点是读写速度快、使用简单、无需周期性刷新、静态功耗极低，但是SRAM所需的元件数多、集成度低、运行功耗大，同时制造成本高。
3DDRAM：随着芯片尺寸的不断微缩，DRAM工艺的微缩变得越来越困难，平面DRAM的“摩尔定律”(Moore＇sLaw）正在逐渐走向极限，当今各大厂商都在研究3DDRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。3DDRAM是一种将存储单元堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式，它可以实现单位面积上更高的容量。
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