此前爆料图片显示，三星GalaxyS23系列使用了LPDDR5内存，这也用于GalaxyS21系列和GalaxyS22系列。然而，事实并非如此。爆料人士IceUniverse已确认三星GalaxyS23、GalaxyS23+和GalaxyS23Ultra将使用更快的LPDDR5X内存和UFS4.0存储。
下面是三星GalaxyS23系列存储配置：
GalaxyS23：8GB+128G8GB+256GB
GalaxyS23+：8GB+256G8GB+512GB
GalaxyS23Ultra：8GB+256G12GB+512G12GB+1TB
IT之家了解到，LPDDR5X内存是最新的低功耗内存标准，用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑，支持高达8533Mbps的数据传输速度，比最快的LPDDR5内存快33%。UFS4.0存储芯片提供高达4200MB/s的顺序数据读取速度和高达2800MB/s的顺序写入速度。这是UFS3.1存储速度的两倍，后者提供高达2100MB/s的顺序读取速度和高达1200MB/s的顺序写入速度。
新一代芯片（骁龙8Gen2ForGalaxy）、新内存（LPDDR5X）和新存储（UFS4.0）的组合将为三星GalaxyS23系列带来巨大的性能提升，预计将体现在手机启动速度、应用程序和游戏启动、多任务处理和游戏运行方面。
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